scienceitНаука. Инновации. ТехнологииScience. Innovations. Technologies2308-4758North-Caucasus Federal Universityscienceit-421Research ArticleФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИPHYSICAL AND MATHEMATICAL SCIENCESИсследование зависимости спектров фотопроводимости CdS от направления сканирования спектраInvestigation of cds photoconductivity spectra dependence from the direction of spectrum scanningБатыревА. С.BatirevA. S.asbatyrev@mail.ruБисенгалиевР. А.BisengalievR. A.task99@mail.ruШивидовН. К.ShividovN. K.noemail@neicon.ruТагировМ. О.TahirovM. O.ic14@bk.ruКалмыцкий государственный университетРоссияKalmyk State UniversityRussian Federation20140609202204712Copyright © Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Шивидов Н.К., Тагиров М.О., 20222022Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Шивидов Н.К., Тагиров М.О.Batirev A.S., Bisengaliev R.A., Shividov N.K., Tahirov M.O.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://scienceit.elpub.ru/jour/article/view/421

Исследованы спектры низкотемпературной (77К) фотопроводимости кристаллов CdS в области края поглощения в зависимости от направления сканирования длины волны возбуждающего света. Показано, что наблюдаемый гистерезис спектральной зависимости фотопроводимости полупроводника может быть обусловлен оптической перезарядкой r-центра - глубокого компенсированногособственно-дефектного акцептора, ассоциированного с мелким донором.

The low-temperature (77 K) photoconductivity spectra of CdS crystals has been investigated in the absorption edge region vs the scanning direction of the excitation light wavelength. It is shown that the observed hysteresis of semiconductor photoconductivity spectral dependence can be due to the optical recharge of r-center - the deep compensated acceptor as-sociated with the shallow donor.

фотопроводимостькристаллы CdSнаправление сканированиягистерезисинфракрасная подсветкасобственные дефектыphotoconductivityCdS crystalsscanning directionhysteresisinfrared illuminationown defectsReferencesГаплевская С.П., Завертанная Л.C., Рвачев A.Л., Тищенко Е.И. ФТП 6, 2, 385 (1969)Гаплевская С.П., Завертанная Л.C., Рвачев A.Л., Тищенко Е.И. ФТП 6, 2, 385 (1969)Агекян В. Ф., Погарев С. В. // ФТП 18, 6, 1000 (1984)Агекян В. Ф., Погарев С. В. // ФТП 18, 6, 1000 (1984)Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Лиджиев Б.С., Новиков Б.В., Сумьянова Е.В., Алжеев В.М. // Тр. V междунар. конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск, УлГУ, 2003, с. 118.Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Лиджиев Б.С., Новиков Б.В., Сумьянова Е.В., Алжеев В.М. // Тр. V междунар. конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск, УлГУ, 2003, с. 118.Киселев В.А., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Экситонная спектроскопия приповерхностнойобласти полупроводников. СПб.: Изд- во СПбГУ, 2003, 244 с.Киселев В.А., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Экситонная спектроскопия приповерхностнойобласти полупроводников. СПб.: Изд- во СПбГУ, 2003, 244 с.Батырев А.С., Батырев Э.Д., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Анбушинов B.C. ФТТ 41, 7, 1181 (1999).Батырев А.С., Батырев Э.Д., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Анбушинов B.C. ФТТ 41, 7, 1181 (1999).Ермолович И.Б., Матвиевская Г.И., Пекарь Г.С., Шейнкман М.К. УФЖ 18, 5, 732 (1973).Ермолович И.Б., Матвиевская Г.И., Пекарь Г.С., Шейнкман М.К. УФЖ 18, 5, 732 (1973).Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Тагиров М.О. ФТП 47, 9, 1165(2013).Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Тагиров М.О. ФТП 47, 9, 1165(2013).Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В. ФТТ 55, 4, 639 (2013).Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В. ФТТ 55, 4, 639 (2013).

The authors declare that there are no conflicts of interest present.