Исследование зависимости спектров фотопроводимости CdS от направления сканирования спектра
Аннотация
Исследованы спектры низкотемпературной (77К) фотопроводимости кристаллов CdS в области края поглощения в зависимости от направления сканирования длины волны возбуждающего света. Показано, что наблюдаемый гистерезис спектральной зависимости фотопроводимости полупроводника может быть обусловлен оптической перезарядкой r-центра - глубокого компенсированногособственно-дефектного акцептора, ассоциированного с мелким донором.
Об авторах
А. С. Батырев
Калмыцкий государственный университет
Россия
Россия
Р. А. Бисенгалиев
Калмыцкий государственный университет
Россия
Россия
Н. К. Шивидов
Калмыцкий государственный университет
Россия
Россия
М. О. Тагиров
Калмыцкий государственный университет
Россия
Россия
Список литературы
1. Гаплевская С.П., Завертанная Л.C., Рвачев A.Л., Тищенко Е.И. ФТП 6, 2, 385 (1969)
2. Агекян В. Ф., Погарев С. В. // ФТП 18, 6, 1000 (1984)
3. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Лиджиев Б.С., Новиков Б.В., Сумьянова Е.В., Алжеев В.М. // Тр. V междунар. конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск, УлГУ, 2003, с. 118.
4. Киселев В.А., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Экситонная спектроскопия приповерхностнойобласти полупроводников. СПб.: Изд- во СПбГУ, 2003, 244 с.
5. Батырев А.С., Батырев Э.Д., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Анбушинов B.C. ФТТ 41, 7, 1181 (1999).
6. Ермолович И.Б., Матвиевская Г.И., Пекарь Г.С., Шейнкман М.К. УФЖ 18, 5, 732 (1973).
7. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Тагиров М.О. ФТП 47, 9, 1165(2013).
8. Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В. ФТТ 55, 4, 639 (2013).
Рецензия
Для цитирования:
Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Шивидов Н.К., Тагиров М.О. Исследование зависимости спектров фотопроводимости CdS от направления сканирования спектра. Наука. Инновации. Технологии. 2014;(4):7-12.
For citation:
Batirev A.S., Bisengaliev R.A., Shividov N.K., Tahirov M.O. Investigation of cds photoconductivity spectra dependence from the direction of spectrum scanning. Science. Innovations. Technologies. 2014;(4):7-12. (In Russ.)
Просмотров:
40
Послать статью по эл. почте 